ميلتون فينغ

ميلتون فينغ
معلومات شخصية
الميلاد 21 يوليو 1950 (75 سنة)[1]  تعديل قيمة خاصية (P569) في ويكي بيانات
تايوان  تعديل قيمة خاصية (P19) في ويكي بيانات
مواطنة الولايات المتحدة تعديل قيمة خاصية (P27) في ويكي بيانات
الحياة العملية
المدرسة الأم جامعة إلينوي في إربانا-شامبين  تعديل قيمة خاصية (P69) في ويكي بيانات
المهنة مهندس، وأستاذ جامعي  تعديل قيمة خاصية (P106) في ويكي بيانات
موظف في جامعة إلينوي في إربانا-شامبين  تعديل قيمة خاصية (P108) في ويكي بيانات
تعديل مصدري - تعديل  طالع توثيق القالب

ميلتون فينغ (بالإنجليزية: Milton Feng)‏ هو مهندس أمريكي، ولد في 1950 في تايوان.[2][3][4]

مراجع

[عدل]
  1. ^ https://distributedmuseum.illinois.edu/exhibit/milton_feng/. {{استشهاد ويب}}: |url= بحاجة لعنوان (مساعدة) والوسيط |title= غير موجود أو فارغ (من ويكي بيانات) (مساعدة)
  2. ^ Kloeppel، James E. (11 ديسمبر 2006). "World's fastest transistor approaches goal of terahertz device" (Press release). Champaign, Ill.: جامعة إلينوي في إربانا-شامبين. University of Illinois News Bureau. مؤرشف من الأصل في 2019-05-13. اطلع عليه بتاريخ 2018-02-21.
  3. ^ http://www.ece.illinois.edu/directory/profile/mfeng Milton Feng :: ECE ILLINOIS نسخة محفوظة 2019-05-11 على موقع واي باك مشين.
  4. ^ Snodgrass، William؛ Hafez، Walid؛ Harff، Nathan؛ Feng، Milton (2006). "Pseudomorphic InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors (PHBTs) Experimentally Demonstrating fT = 765 GHz at 25 °C Increasing to fT = 845 GHz at -55 °C". 2006 International Electron Devices Meeting (IEDM '06): 1–4. DOI:10.1109/IEDM.2006.346853. مؤرشف من الأصل في 2018-06-07.
أيقونة بذرة

هذه بذرة مقالة عن مهندس أمريكي بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.