الطرانزيسطور (بنّݣليزية: Transistor) لي هي ختصار ديال Transfer Resistor لي كتعني مقاوم النقل جهاز إلكتروني صغير كيتخدّم باش يتحكم ف تدفق التريسينتي فالسيركويات ديال التريسينتي. كيخدم كـ "ساروت" ولّا "مضخم" ديال السينيال د التريسينتي.[1]
الطرانزسطور الميدالي (FET): هاد النوع كيتكون من ثلاثة د الطراف (الباب، القناة، و المصدر). كيخدم بشكل مختالف على الطرانزيسطور الجاوجي حيت كايعتمد على جهد للتحكم فالتدفق.
الطرانزسطور الجاوجي (BJT): هاد النوع كيتكون من ثلاثة د الطبقات (لباعت، لقاعدة، و لمجمع). كيتستعمل ف تضخيم و تبديل السينيالات.
فلاربعينات، لعلماء كانوا ف طور لبحث و التجريب باش يبتاكرو مكونات إلكترونية جديدة. ولايني لفكرة الأساسية ديال الطرانزسطور باقي ما كانتش واضحة.
فـ 1947، فريق ديال لعلماء ف مختبرات بيل ف لميريكان، بقيادة جون باردين، وليم شاكلي، و والتر براتين، نجحو ف ختراع أول طرانزيسطور. هاد الإختراع كان عبارة عن طرانزيسطور جاوجي، واللي كان معروف بسمية "الطرانزيسطور السليكوني" silicon transistor ولّا "الطرانزيسطور البلاري" crystal diode transistor.
الإختراع ديال الطرانزسطور كان واحد من أعظم الاكتشافات ف القرن العشرين، و مثل نقلة نوعية ف الطيكنولوجيا.