Kristallstruktur | |||||||||||||||||||
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_ In3+ _ As3− | |||||||||||||||||||
Allgemeines | |||||||||||||||||||
Name | Indiumarsenid | ||||||||||||||||||
Andere Namen |
Indium(III)-arsenid | ||||||||||||||||||
Verhältnisformel | InAs | ||||||||||||||||||
Kurzbeschreibung |
grauer, geruchloser Feststoff[1] | ||||||||||||||||||
Externe Identifikatoren/Datenbanken | |||||||||||||||||||
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Eigenschaften | |||||||||||||||||||
Molare Masse | 189,74 g·mol−1 | ||||||||||||||||||
Aggregatzustand |
fest | ||||||||||||||||||
Dichte |
5,68 g·cm−3[2] | ||||||||||||||||||
Schmelzpunkt | |||||||||||||||||||
Löslichkeit |
nahezu unlöslich in Wasser[1] | ||||||||||||||||||
Sicherheitshinweise | |||||||||||||||||||
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Thermodynamische Eigenschaften | |||||||||||||||||||
ΔHf0 |
−58,6 kJ/mol[4] | ||||||||||||||||||
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). |
Indiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen. Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern.
Indiumarsenid bildet sich bei hohen Temperaturen aus den Elementen:[5]
Indiumarsenid kristallisiert in der Sphalerit-Struktur: Arsenid bildet eine kubisch dichteste Kugelpackung und Indium besetzt die Hälfte der Tetraederlücken. Die Bandlücke des Halbleiters beträgt 0,35 eV.
Wie andere III-V-Halbleiter findet Indiumarsenid Anwendung in der Halbleiterindustrie. Es wird für Photodioden in Detektoren für Infrarotstrahlung verwendet. Ein weiteres Anwendungsgebiet sind Laserdioden.
Indiumarsenid ist aufgrund des enthaltenen Arsens giftig und cancerogen.