قوام شهیدی

قوام شهیدی یک مهندس برق ایرانی-آمریکایی و همکار آی‌بی‌ام است. او مدیر فناوری سیلیکون در مرکز تحقیقات توماس جی واتسون آی‌بی‌ام است. وی از اواخر دهه ۱۹۸۰ تاکنون به دلیل فعالیت‌های پیشگامانه خود در زمینه تولید فناوری سیلیکون بر روی عایق (اس‌اوآی) و مکمل فلز-اکسید-نیم‌رسانا (سیماس) مشهور است.

حرفه

[ویرایش]

وی در رشته مهندسی برق در ام‌آی‌تی تحصیل کرد و در آنجا پایان‌نامه دکترای خود را با عنوان «فراجهش سرعت در مقیاس‌بندی عمیق ماسفت» (ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیم‌رسانا)، زیر نظر پروفسور دیمیتری ای آنتونیادیس نوشت. ماسفت (ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیم‌رسانا) سیلیکونی ۶۰ نانومتر توسط شهیدی با آنتونیادیس و هنری آی اسمیت در دانشگاه ام‌آی‌تی در سال ۱۹۸۶ ساخته شده بود.[۱][۲] این قطعه با استفاده از لیتوگرافی اشعه ایکس ساخته شده‌است.[۳]

شهیدی در سال ۱۹۸۹ به آی‌بی‌ام پژوهش پیوست، در آنجا توسعه فناوری سیلیکون بر روی عایق (اس‌اوآی) فلز-اکسید-نیم‌رسانا مکمل (سیماس) درآی‌بی‌ام را آغاز و پس از آن هدایت کرد.[۴] این امر منجر به اولین استفاده تجاری اس‌اوآی در جریان اصلی فناوری سیماس شد.[۴]

وی تا سال ۲۰۰۳ به عنوان مدیر توسعه منطق با عملکرد بالا در آی‌بی‌ام ریزالکترونیک باقی ماند. وی سپس به عنوان مدیر فناوری سیلیکون به آزمایشگاه واتسون IBM بازگشت.[۵] وی به عنوان مدیر فناوری سیلیکون در آی‌بی‌ام پژوهش، در اوایل دهه ۲۰۰۰ در حال تحقیق دربارهٔ فناوری لیتوگرافی بود. در سال ۲۰۰۴، وی برنامه‌های لیتوگرافی براساس نور فیلتر شده در آب و سپس لیتوگرافی اشعه ایکس را برای IBM تجاری سازی و طی چند سال آینده اعلام کرد. وی همچنین اعلام کرد که تیمش در حال تحقیق در مورد ۲۰ ماده نیم‌رسانا جدید است.[۵]

شهیدی جایزه جی‌جی ایبرز موسسه مهندسان برق و الکترونیک را به دلیل «مشارکت و رهبری در توسعه فناوری سیماس سیلیکون بر روی عایق» در سال ۲۰۰۶ دریافت کرد.[۶] وی در حال حاضر مدیر فناوری سیلیکون در مرکز تحقیقات آی‌بی‌ام توماس جی واتسون در یورک‌تاون هایتس، نیویورک است.[۷]

منابع

[ویرایش]
  1. ↑ Shahidi, Ghavam G.; Antoniadis, Dimitri A.; Smith, Henry I. (December 1986). "Electron velocity overshoot at 300 K and 77 K in silicon MOSFETs with submicron channel lengths". 1986 International Electron Devices Meeting: 824–825. doi:10.1109/IEDM.1986.191325.
  2. ↑ Chou, Stephen Y.; Smith, Henry I.; Antoniadis, Dimitri A. (1986). "Sub‐100‐nm channel‐length transistors fabricated using x‐ray lithography". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 4 (1): 253–255. Bibcode:1986JVSTB...4..253C. doi:10.1116/1.583451. ISSN 0734-211X.
  3. ↑ Shahidi, Ghavam G.; Antoniadis, Dimitri A.; Smith, Henry I. (December 1988). "Reduction of hot-electron-generated substrate current in sub-100-nm channel length Si MOSFET's". IEEE Transactions on Electron Devices. 35 (12): 2430–. Bibcode:1988ITED...35.2430S. doi:10.1109/16.8835.
  4. ↑ ۴٫۰ ۴٫۱ "Ghavam G. Shahidi". IEEE Xplore. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Retrieved 16 September 2019.
  5. ↑ ۵٫۰ ۵٫۱ "A Whole New World of Chips". Business Week. Archived from the original on 2011-02-21.
  6. ↑ "Past J.J. Ebers Award Winners". IEEE Electron Devices Society. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Retrieved 16 September 2019.
  7. ↑ "Ghavam Shahidi". Engineering and Technology History. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Retrieved 16 September 2019.