حافظه با پهنای‌باند بالا
حافظه با پهنای‌باند بالا (انگلیسی: High Bandwidth Memory) (اختصاری HBM) یا حافظه‌ٔ پهنای‌باند بالا دسته‌ای از حافظه‌های تصادفی است که توسط شرکت‌های اس‌کی هاینیکس، ای‌ام‌دی و سامسونگ برای مدارهای یکپارچه سه‌بعدی طراحی و معرفی گردید[۱] و نخستین مرتبه در پردازنده‌های گرافیکی رادئون سری آرایکس۳۰۰ از شرکت ای‌ام‌دی مورد استفاده قرار گرفت.[۲][۳] این حافظه‌ها به عنوان یک استاندارد صنعتی در اکتبر ۲۰۱۳ به تصویب رسید.[۴] نسل دوم این حافظه‌ها با عنوان اختصاری HBM2 نیز در ژانویه ۲۰۱۶ معرفی و به تصویب استاندارد صنعتی نیز رسید.[۵]
منابع
[ویرایش]- ↑ ISSCC 2014 Trends بایگانی‌شده در ۲۰۱۵-۰۲-۰۶ توسط Wayback Machine page 118 "High-Bandwidth DRAM"
- ↑ Smith, Ryan (2 July 2015). "The AMD Radeon R9 Fury X Review". Anandtech. Retrieved 1 August 2016.
- ↑ Morgan, Timothy Prickett (March 25, 2014). "Future Nvidia 'Pascal' GPUs Pack 3D Memory, Homegrown Interconnect". EnterpriseTech. Retrieved 26 August 2014.
Nvidia will be adopting the High Bandwidth Memory (HBM) variant of stacked DRAM that was developed by AMD and Hynix
- ↑ High Bandwidth Memory (HBM) DRAM (JESD235), JEDEC, October 2013
- ↑ "JESD235a: High Bandwidth Memory 2". 2016-01-12.
- مشارکت‌کنندگان ویکی‌پدیا. «High Bandwidth Memory». در دانشنامهٔ ویکی‌پدیای انگلیسی، بازبینی‌شده در ۲۸ مه ۲۰۱۹.
 | این یک مقالهٔ خرد سخت‌افزار است. می‌توانید با گسترش آن به ویکی‌پدیا کمک کنید. |