یان چکرالسکی

یان چُکرالسکی
یان چُکرالسکی حدود 1910
زادهٔ۲۳ اکتبر ۱۸۸۵
اکسین، امپراتوری آلمان
درگذشت۲۲ آوریل ۱۹۵۳ (۶۷ سال)
پوزنان، لهستان
ملیت لهستانی
شهروندیلهستانی و آلمانی
محل تحصیلپلی تکنیک شارلوتنبورگ در برلین
شناخته‌شده
برای		فرایند چکرالسکی
همسرمارگریت هاسه
پیشینه علمی
شاخه(ها)شیمی، متالورژی
محل کاردانشگاه صنعتی ورشو

یان چُکرالِسکی (‎/ˈjæn tʃɒxˈrɑːlski/‎ YAN chokh-RAHL-skee، تلفظ لهستانی: [ˈjan t͡ʂɔˈxralskʲi]؛ 23 اکتبر 1885 - 22 آوریل 1953) یک شیمیدان لهستانی بود که فرایند چکرالسکی را اختراع کرد، که برای رشد تک بلورها و تولید ویفرهای نیم‌رسانا استفاده می‌شود. هنوز هم در بیش از 90 درصد از کل الکترونیک در جهان که از نیم‌رساناها استفاده می‌کنند، استفاده می‌شود.[۱] وی بیشترین استناد به محقق لهستانی است.[۲]

انتشارات

[ویرایش]
  • Moderne Metallkunde در Theorie und Praxis , J. Czochralski، چاپ شده توسط اسپرینگر، برلین، ۱۹۲۴.

جستارهای وابسته

[ویرایش]

منابع

[ویرایش]
  1. ↑ "Scientist who laid the foundations for Silicon Valley honoured at long last". Retrieved 18 November 2019.
  2. ↑ Pajaczkowska, Anna (June 2001). "Professor Dr. Jan Czochralski - An Inventor". Newsletter of the German Association for Crystal Growth (به انگلیسی). Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (73): 30. ISSN 2193-3758. Archived from the original on 2012-07-08. Retrieved 22 November 2012.

پیوند به بیرون

[ویرایش]