Dawon Kahng

Dawon Kahng
Nama asal	강대원
Lahir	(1931-05-04)4 Mei 1931[1] Seoul, Korea
Meninggal	13 Mei 1992(1992-05-13) (umur 61) [2] New Brunswick, New Jersey
Kebangsaan	Korea Selatan Amerika Serikat
Pekerjaan	Insinyur listrik
Dikenal atas	MOSFET (transistor MOS) PMOS dan NMOS Diode Schottky Transistor berbasis lapisan nano Floating-gate MOSFET Memori floating-gate Reprogrammable ROM
Penghargaan (2009) National Inventors Hall of Fame ^(en) (1975) Stuart Ballantine Medal ^(en)

Dawon Kahng (4 Mei 1931 – 13 Mei 1992) adalah seorang penemu dan insinyur listrik Korea-Amerika Serikat, yang dikenal atas pekerjaannya dalam elektronika solid-state. Dia dikenal karena menemukan MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), disebut juga transistor MOS, bersama Mohamed Atalla pada tahun 1959. Atalla dan Kahng mengembangkan proses PMOS dan NMOS untuk fabrikasi semikonduktor MOSFET. MOSFET adalah jenis transistor yang paling banyak digunakan, dan merupakan bagian paling dasar dari kebanyakan peralatan elektronik modern.

Atalla dan Kahng kemudian mengusulkan konsep sirkuit terpadu MOS, dan mereka mengerjakan diode Schottky dan transistor berbasis lapisan nano pada awal 1960-an. Kahng kemudian menciptakan floating-gate MOSFET (FGMOS) bersama Simon Sze pada tahun 1967. Kahng dan Sze mengusulkan bahwa FGMOS bisa digunakan sebagai sel memori floating-gate untuk memori non-volatile (NVM) dan memori hanya baca (ROM) yang bisa dibaca, yang menjadi dasar untuk teknologi EPROM (erasable programmable ROM), EEPROM (electrically erasable programmable ROM) dan memori kilat. Kahng dimasukkan ke dalam National Inventors Hall of Fame pada tahun 2009.

Penghargaan

Kahng dan Mohamed Atalla diberikan Medali Stuart Ballantine pada Franklin Institute Awards 1975, untuk menemukan MOSFET.^[3][4] Pada tahun 2009, Kahng dimasukkan ke dalam National Inventors Hall of Fame.^[5] Pada tahun 2014, penemuan MOSFET dimasukkan ke dalam daftar pencapaian IEEE dalam elektronika.^[6]

Meskipun MOSFET telah memungkinkan terobosan-terobosan yang memenangkan Penghargaan Nobel seperti efek Hall kuantum,^[7] and the charge-coupled device (CCD),^[8] penemuan MOSFET sendiri tidak pernah menerima Penghargaan Nobel.^[9] Pada tahun 2018, Royal Swedish Academy of Sciences yang memberikan Penghargaan Nobel mengakui penemuan MOSFET oleh Atalla dan Kahng sebagai salah satu penemuan terpenting dalam mikroelektronika dan dalam teknologi informasi dan komunikasi.^[10]

Referensi

1. "Dawon Kahng". National Inventors Hall of Fame. 2009. Diarsipkan dari versi asli tanggal 28 March 2009. Diakses tanggal 28 March 2009.  Parameter |url-status= yang tidak diketahui akan diabaikan (bantuan)
2. New York Times obituary
3. Calhoun, Dave; Lustig, Lawrence K. (1976). 1977 Yearbook of science and the future. Encyclopaedia Britannica. hlm. 418. ISBN 9780852293195. Three scientists were named recipients of the Franklin lnstitute's Stuart Ballantine Medal in 1975 [...] Martin M. Atalla, president of Atalla Technovations in California, and Dawon Kahng of Bell Laboratories were chosen "for their contributions to semiconductor silicon-silicon dioxide technology, and for the development of the MOS insulated gate, field-effect transistor. 
4. "Dawon Kahng". Franklin Institute Awards (dalam bahasa Inggris). The Franklin Institute. 14 January 2014. Diakses tanggal 23 August 2019. 
5. "Dawon Kahng". National Inventors Hall of Fame. Diakses tanggal 27 June 2019. 
6. "Milestones:List of IEEE Milestones". Institute of Electrical and Electronics Engineers. Diakses tanggal 25 July 2019. 
7. Lindley, David (15 May 2015). "Focus: Landmarks—Accidental Discovery Leads to Calibration Standard". Physics. 8. doi:10.1103/Physics.8.46. 
8. Williams, J. B. (2017). The Electronics Revolution: Inventing the Future. Springer. hlm. 245 & 249. ISBN 9783319490885. 
9. Woodall, Jerry M. (2010). Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. Springer Science & Business Media. hlm. 2. ISBN 9781441915474. 
10. "Advanced information on the Nobel Prize in Physics 2000" (PDF). Nobel Prize. June 2018. Diakses tanggal 17 August 2019.