キオクシア

キオクシアホールディングス株式会社
KIOXIA Holdings Corporation
本社が所在するmsb Tamachi 田町ステーションタワーS
本社が所在するmsb Tamachi 田町ステーションタワーS
種類 株式会社
市場情報
東証プライム 285A
2024年12月18日上場
(予定)[1]
本社所在地 日本の旗 日本
105-8001
東京都港区芝浦三丁目1番21号
msb Tamachi 田町ステーションタワーS
設立 2019年(平成31年)3月1日
(東芝メモリホールディングス株式会社)
業種 電気機器
法人番号 8010401144206
事業内容 グループの経営戦略策定及び経営管理
代表者 代表取締役社長 早坂伸夫
資本金 100億円
発行済株式総数 普通株式 517,500,000株
甲種優先株式 1,200株
乙種優先株式 1,800株[2]
売上高 連結:1兆765億8400万円
(2024年3月期)[2]
営業利益 連結:△2526億9800万円
(2024年3月期)[2]
経常利益 連結:△3433億3000万円
(2024年3月期)[2]
純利益 連結:△2437億2100万円
(2024年3月期)[2]
純資産 連結:4497億6600万円
(2024年3月31日現在)[2]
総資産 連結:2兆8649億4100万円
(2024年3月31日現在)[2]
従業員数 単独:約120名
連結:約14,200名
(2022年3月31日現在)
会計監査人 PwC Japan有限責任監査法人
主要株主 株式会社東芝 39.68%
BCPE Pangea Cayman, L.P. 25.31%
BCPE Pangea Cayman2, Ltd. 14.60%
BCPE Pangea Cayman 1A, L.P. 9.16%
BCPE Pangea Cayman 1B, L.P. 5.85%
HOYA株式会社 3.06%
(2024年11月22日現在)[2]
主要子会社 キオクシア(株) 100%
関係する人物 成毛康雄(初代社長)
外部リンク https://www.kioxia-holdings.com/
特記事項:連結経営指標は国際会計基準のため、売上高は収益、経常利益は税引前当期利益、純利益は当期利益、純資産は資本合計、総資産は資産合計。
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キオクシア株式会社
KIOXIA Corporation
種類 株式会社
市場情報 非上場
本社所在地 日本の旗 日本
105-8001
東京都港区芝浦三丁目1番21号
msb Tamachi 田町ステーションタワーS
設立 2017年(平成29年)6月16日
(株式会社Pangea)
業種 電気機器
法人番号 5010001184349 ウィキデータを編集
事業内容 半導体メモリ及び関連製品の開発・製造・販売事業及びその関連事業
代表者 代表取締役社長 早坂伸夫
資本金 100億円
発行済株式総数 1,396万5,000株
純利益 △3,421億1,900万円
(2024年3月期)[3]
純資産 4,783億4,600万円
(2024年3月期)[3]
総資産 2兆841億8,000万円
(2024年3月期)[3]
従業員数 単独:約10,600名
連結:約15,300名
(2023年3月31日現在)
主要株主 キオクシアホールディングス 100%
主要部門 半導体メモリ製造
関係する人物 成毛康雄(初代社長)
外部リンク https://www.kioxia.com/ja-jp/top.html
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キオクシア株式会社KIOXIA Corporation)は、日本東京都港区芝浦に本社を置き、主にNAND型フラッシュメモリを製造する半導体メーカーである。純粋持株会社キオクシアホールディングス株式会社(KIOXIA Holdings Corporation、旧・東芝メモリホールディングス株式会社)の完全子会社である[4]

半導体メーカー売上高ランキングIHS発表)では、2017年の市場シェア世界第8位であった[5]

2017年に東芝の半導体メモリ事業を分社化して設立され[6]2018年にグループから離脱して持分法適用会社となった[7]2019年令和元年10月1日付で、東芝メモリ株式会社(とうしばメモリ、Toshiba Memory Corporation)より商号変更した[8]

社名の「キオクシア」は、日本語の「記憶」(Kioku)と、ギリシャ語で「価値」を意味する「axia(アクシア)」を組み合わせたもので、社内公募で選ばれたもの[9]。⼀般社団法⼈⽇本ネーミング協会が主催する「日本ネーミング大賞2023」において「優秀賞」に選定された[10]

ブランドキャッチコピーは「「記憶」で世界をおもしろくする」。

設立の経緯

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NAND型フラッシュメモリは、工学博士である舛岡富士雄が東芝に勤務していた1980年代に発明したものである。東芝の半導体メモリ事業の主力製品は、このNAND型フラッシュメモリとその応用製品(ソリッドステートドライブなど)であった。半導体メモリ事業は直近の2015年(平成27年)度に、8,456億円の売上で1,100億円の営業利益を稼ぎ出し[11]、東芝の主力事業のひとつとなっていた。また、スマートフォンの大容量化、データセンターにおけるSSDの普及などを背景に、将来性も申し分ない事業であったため、東芝は2016年(平成28年)3月の段階で、半導体メモリ事業を原子力事業と並ぶ「経営の柱」に位置付けていた[12]

ところが同年12月、東芝グループの原子力企業ウェスチングハウス・エレクトリック・カンパニーが買収した原子力サービス会社CB&I(ストーン&ウェブスター)の資産価値が想定を大きく下回ったため、親会社の東芝は、巨額の損失額を会計計上せざるを得ない状況となった[13]。その結果、何の資本対策もとらない場合、東芝は2016年度期末決算で大幅な債務超過に陥り、東京証券取引所第二部に降格する見通しまで示された。

債権者に迷惑をかけることなく債務超過を解消する方法は、増資(新株の発行)や優良資産・事業の売却の二つである。しかし東芝の場合、2015年に発覚した粉飾決算の影響で東京証券取引所名古屋証券取引所から「特設注意市場銘柄」に指定されていたため、増資による債務超過解消は不可能であった。更に、優良子会社東芝メディカルシステムズを2016年にキヤノンに売却したばかりの東芝には、債務超過の解消に必要な数千億円から数兆円規模の売却益が期待できる事業は、1年前に「経営の柱」と位置付けたはずの半導体メモリ事業しか残されていなかったのである[11]。東芝メモリは、東芝の債務超過を解消するために、2017年(平成29年)2月10日に設立した会社である[6]

  • 2017年
  • 2018年(平成30年)
    • 6月1日、東芝からPangeaに東芝メモリの全株式が譲渡された。東芝の再出資によりPangeaの議決権比率は、BCPE Pangea Cayman, L.P.が49.9%、東芝が40.2%、HOYAが9.9%となり、日本企業が過半数を占めている。なお東芝の議決権のうち33.4%分は、産業革新機構及び日本政策投資銀行が各々16.7%について指図権を持っている[7]
    • 8月1日、Pangeaが(初代)東芝メモリを吸収合併し、(2代目)東芝メモリに社名変更した[19][20]。これをもって一連の買収手続きが完了した[20]
  • 2019年(平成31年)
    • 3月1日、単独株式移転により東芝メモリホールディングス(現・キオクシアホールディングス)を設立、その傘下に異動した[4]
    • 10月1日、東芝メモリホールディングス株式会社をキオクシアホールディングス株式会社に、東芝メモリ株式会社をキオクシア株式会社に、それぞれ社名変更を実施。[21][22]

主な製品

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旧:東芝製のNAND型フラッシュメモリ(128M x 8ビット)
USBフラッシュメモリ(32GB)
フラッシュメモリ
東芝は、舛岡富士雄を中心にフラッシュメモリの開発を進め、1980年にNOR型フラッシュメモリを、1986年にNAND型フラッシュメモリを発明した。
DRAMでのサムスン電子を始めとする、外国企業への技術流出の反省から、NAND型フラッシュメモリ開発では、サンディスクと共同で三重県四日市市の四日市工場で生産し、日本での製造を徹底して、秘密主義と集中投資の方針を貫き[23]、2006年から2008年までの2年間、世界シェア2位を確保していた[24]iPod nanoなど、フラッシュメモリ型オーディオプレーヤーやSDメモリーカードなどにフラッシュメモリを提供していた。
他社へのフラッシュメモリ供給に限らず、自社ブランドのUSBフラッシュメモリ「TransMemory」シリーズやSDメモリーカード「EXCERIA」シリーズ、SSD「EXCERIA」シリーズも展開している[25]
USBフラッシュメモリ
「TransMemory」シリーズ
SDメモリーカード
「EXCERIA」シリーズ
SSD (Solid State Drive)
「EXCERIA」シリーズ

拠点

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四日市工場

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四日市工場はウェスタン・デジタル傘下のサンディスクと共同で投資を行ったメモリ事業の一大拠点であり、東芝とサンディスクのNAND型フラッシュメモリの全量を三重県の四日市市で生産している[26]。所在地(三重県四日市市山之一色町800番地[27])は、四日市市中心部(近鉄四日市駅)から車で30分程度、東名阪自動車道四日市東ICから車で5分の場所である[28]

2016年12月時点で、敷地面積は約61.0ヘクタール、従業員数は6,200人であり[29](物流関係を含めると1万人以上[14])、世界でも有数規模の半導体メモリ製造工場である。

四日市工場は1992年(平成4年)1月に発足し、翌年から本格稼働を始めた[30]。当初の生産品目はDRAMであったが、1999年(平成11年)にNAND型フラッシュメモリの生産を開始する一方、2001年(平成13年)に汎用DRAMの生産を終了した[30]。以降2017年(平成29年)に至るまで、主力製品は一貫してNAND型フラッシュメモリである[30]

1993年(平成5年)に「第1製造棟」が本格稼働してDRAMの生産を始めて以来、工場は拡張を繰り返してきた[27]。1996年(平成8年)には「第2製造棟」の稼働が開始した[27]インターネット・バブル崩壊後、四日市工場は停滞期を経験したが、主力製品がNAND型フラッシュメモリに移行した後は、需要の急拡大に合わせて、工場の拡張が急速に進められた。

2005年(平成17年)には「第3製造棟」が稼動開始、2007年(平成19年)には「第4製造棟」が稼働開始、2011年(平成23年)には「第5製造棟(第1期)」が稼働開始、そして2014年(平成26年)には「第5製造棟(第2期)」が稼働開始した[27][29]。2016年(平成28年)には、「第2製造棟」を取り壊して建設していた「新・第2製造棟」が竣工し、量産を開始[31][32]、2018年(平成30年)には「第6製造棟」および「メモリ開発センター」が稼働を開始した[33]

北上工場

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2017年(平成29年)9月6日、東芝は四日市工場に続く新たな拠点を岩手県北上市に定めると発表[34] し、翌年7月に新製造棟建設が起工された[35]。北上市にはシステムLSIを製造する東芝の半導体生産子会社(ジャパンセミコンダクター)があり、その近くに建設する[36]

北上市へのNAND型フラッシュメモリ製造工場の建設は、2008年(平成20年)に四日市工場への第5製造棟建設とともにいったん表明していた[37] が、リーマンショック後の景気低迷などを理由として凍結されていた[38]

もともと、世界で先駆けてNAND型フラッシュメモリを開発し、製品化した東芝が、1992年(平成4年)に初めて量産を開始したのは岩手東芝エレクトロニクス(現・ジャパンセミコンダクター岩手事業所)においてであり[39]、約四半世紀の時を経て、NAND型フラッシュメモリの量産拠点が岩手に戻ってくることとなった。

関係会社

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  • キオクシアシステムズ株式会社
  • キオクシアエンジニアリング株式会社(旧・中部東芝エンジニアリング株式会社)
  • キオクシア岩手株式会社
  • キオクシアエトワール株式会社

海外

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  • キオクシアアメリカ社 (Kioxia America, Inc.)
  • キオクシアヨーロッパ社 (Kioxia Europe GmbH)
  • キオクシアアジア社 (鎧俠亞洲有限公司)
  • キオクシアシンガポール社 (Kioxia Singapore Pte. Ltd.)
  • キオクシア台湾社 (台灣鎧俠股份有限公司)
  • キオクシア半導体台湾社 (台灣鎧俠先進半導體股份有限公司)
  • キオクシア韓国社 (키오시아코리아 주식회사 漢字:키오시아코리아 株式會社)
  • キオクシア中国社(铠侠电子(中国)有限公司)
  • キオクシアイスラエル社 (Kioxia Israel Ltd.)
  • キオクシアテクノロジーUK社 (Kioxia Technology UK Ltd.)
  • Solid State Storage Technology Corporation (建興儲存科技股份有限公司)

提供番組

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過去の提供番組

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脚注

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  1. ^ 新規上場会社概要 キオクシアホールディングス株式会社東京証券取引所
  2. ^ a b c d e f g h 新規上場のための有価証券報告書キオクシアホールディングス
  3. ^ a b c キオクシア株式会社 最終貸借対照表
  4. ^ a b 東芝メモリホールディングス株式会社設立のお知らせ - キオクシアホールディングス株式会社.2024年10月14日閲覧
  5. ^ With its Highest Growth Rate in 14 Years, the Global Semiconductor Industry Topped $429 Billion in 2017, IHS Markit Says | Business Wire
  6. ^ a b c 当社メモリ事業の会社分割に係る吸収分割契約の締結について - キオクシアホールディングス株式会社.2024年10月14日閲覧
  7. ^ a b 東芝メモリ株式会社の株式譲渡完了及び特定子会社の異動に関するお知らせ(株式会社東芝プレスリリース - 日経電子版 2024年10月14日閲覧)
  8. ^ 東芝メモリ株式会社を「キオクシア株式会社」に社名変更”. キオクシア株式会社. 2024年10月14日閲覧。
  9. ^ 東芝メモリ、社名変更後のロゴ発表 年度内の上場めざす[リンク切れ]
  10. ^ 日本ネーミング大賞(2023年受賞)”. 一般社団法人⽇本ネーミング協会. 2024年11月9日閲覧。
  11. ^ a b 当社メモリ事業の会社分割による分社化の方針の決定について(株式会社東芝 2024年10月14日閲覧)
  12. ^ 東芝「2本柱」戦略、1年もたず 原発見直し表明(日本経済新聞 速報、2017年1月27日)
  13. ^ CB&Iの米国子会社の買収に伴うのれん及び損失計上の可能性について(株式会社東芝プレスリリース - 日経電子版 2024年10月14日閲覧)
  14. ^ a b 分社化で発足の東芝メモリ 社員が初出勤(NHK News Web、2017年4月3日)[リンク切れ]
  15. ^ グーグル・アマゾン入札、争奪戦に…東芝半導体(Yomiuri Online、2017年4月1日)
  16. ^ 東芝メモリ株式会社への外部資本導入に関する状況について(株式会社東芝IRニュース 2024年10月14日閲覧)
  17. ^ 鴻海の東芝メモリ買収案、ソフトバンク、米アップルなど6社連合(ブルームバーグ、2017年9月7日)
  18. ^ 東芝メモリ株式会社の株式譲渡契約締結に関するお知らせ(キオクシア株式会社 2024年10月14日閲覧)
  19. ^ 東芝メモリ株式会社と株式会社Pangeaの合併および役員人事について”. 東芝メモリ (2018年8月1日). 2014年10月14日閲覧。
  20. ^ a b 東芝メモリ、買収目的会社と合併”. 日本経済新聞社 (2018年8月1日). 2018年8月3日閲覧。
  21. ^ 東芝メモリホールディングス株式会社が「キオクシアホールディングス株式会社」への社名変更を実施(キオクシアホールディングス株式会社 2024年10月14日閲覧)
  22. ^ 東芝メモリ株式会社が「キオクシア株式会社」への社名変更を実施(キオクシアホールディングス株式会社 2024年10月14日閲覧)
  23. ^ 東芝が大規模投資でサムスンに迫る・NAND型フラッシュ08年予測、iPhoneの大増産がカギ ビジネス-データで読むIT市場:IT-PLUS”. 2009年12月4日閲覧。
  24. ^ INVENTOR OF FLASH MEMORY ~実績が示す信頼の東芝フラッシュメモリ~ 東芝 Pocket Media”. 2009年12月4日閲覧。
  25. ^ 個人のお客様 | KIOXIA”. personal.kioxia.com. 2021年3月9日閲覧。
  26. ^ NAND型フラッシュメモリ(東芝、2017年4月3日閲覧)
  27. ^ a b c d 工場概要
  28. ^ 当工場へのアクセス
  29. ^ a b 四日市工場のご説明(東芝、2016年12月7日)
  30. ^ a b c 四日市工場20年の歩み
  31. ^ 東芝四日市工場の新・第2製造棟の竣工について(東芝、2016年7月15日)
  32. ^ 世界最大の半導体フラッシュメモリ工場 情報化社会を支えるジャパンテクノロジー(東芝、2016年7月13日)
  33. ^ 東芝メモリ 四日市工場 第6製造棟およびメモリ開発センターの竣工について”. 東芝メモリ (2018年9月19日). 2018年9月22日閲覧。
  34. ^ 東芝メモリ株式会社の新規拠点決定について” (PDF). 東芝 (2017年9月6日). 2017年10月14日閲覧。
  35. ^ 岩手県北上市における新製造棟の起工について”. 東芝メモリ (2018年7月24日). 2018年8月4日閲覧。
  36. ^ “北上に半導体新工場” (PDF). 岩手日報. (2017年9月6日). http://www.iwate-np.co.jp/PDF/2017/toshiba170906.pdf 2017年10月14日閲覧。 
  37. ^ 半導体新製造棟の建設について”. 東芝 (2008年2月19日). 2017年10月14日閲覧。
  38. ^ “<東芝>岩手・北上に半導体新工場 18年着工、WDの譲歩も狙う”. 河北新報. (2017年9月7日). http://www.kahoku.co.jp/tohokunews/201709/20170907_32021.html 2017年10月14日閲覧。 
  39. ^ 世界初のNAND型フラッシュメモリー”. 東芝未来科学館. 2017年10月14日閲覧。

外部リンク

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