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10 µm 공정
반도체
소자
제조
MOSFET 스케일링
(
공정 노드
)
0
10 µm
– 1971
00
6 µm
– 1974
00
3 µm
– 1977
1.5 µm
– 1981
00
1 µm
– 1984
800 nm
– 1987
600 nm
– 1990
350 nm
– 1993
250 nm
– 1996
180 nm
– 1999
130 nm
– 2001
0
90 nm
– 2003
0
65 nm
– 2005
0
45 nm
– 2007
0
32 nm
– 2009
0
22 nm
– 2012
0
14 nm
– 2014
0
10 nm
– 2016
00
7 nm
– 2018
00
5 nm
– 2020
00
3 nm
– 2022
미래
00
2 nm
– 2024
하프 노드
집적도
CMOS
소자
(
멀티게이트
)
무어의 법칙
반도체
산업
나노전자
v
•
d
•
e
•
h
10 µm(
마이크로미터
) 공정
은 회로선 폭이 10 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1971년에서 1972년 경
인텔
과 같은 반도체 회사가 달성하였다.
10 마이크로미터 제조 공정을 적용한 제품
[
편집
]
1971년
출시된
인텔 4004
CPU
는 이 공정으로 만들어졌다.
[
1
]
1972년
출시된
인텔 8008
CPU
는 이 공정으로 만들어졌다.
[
2
]
각주
[
편집
]
↑
“History of the Intel Microprocessor - Listoid”
. 2015년 4월 27일에
원본 문서
에서 보존된 문서
. 2015년 4월 19일에 확인함
.
↑
“History of the Intel Microprocessor - Listoid”
. 2015년 4월 27일에
원본 문서
에서 보존된 문서
. 2015년 4월 19일에 확인함
.