오노 히데오

오노 히데오
大野 英男
출생 1954년 12월 18일(1954-12-18)(69세)
일본 도쿄도
국적 일본
출신 학교 도쿄 대학 대학원 공학박사
수상 일본 IBM 과학상(1998년)
국제순수응용물리학연합 자기학상(2003년)
일본 학사원상(2005년)
에사키 레오나상(2016년)
분야 물리학
소속 도호쿠 대학
오노 히데오
일본어식 한자 표기大野 英男
가나 표기おおの ひでお
국립국어원 표준 표기오노 히데오
통용식 표기오오노 히데오
로마자Hideo Ohno

오노 히데오(일본어: 大野 英男, 1954년 12월 18일 ~ )는 일본의 물리학자이며 자성반도체 연구자이다. 도쿄도 출신이며[1] 2018년 4월부터 도호쿠 대학 총장(제22대)으로 재직하고 있다.[2]

주요 경력

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  • 1973년 : 홋카이도 삿포로미나미 고등학교 졸업
  • 1977년 : 도쿄 대학 공학부 졸업
  • 1982년 :
    • 도쿄 대학 대학원 공학계 연구과 전자공학 전공·박사과정 수료
    • 공학박사 학위 취득, 논문 제목은 《Growth of heterojunctions by molecular bean epitaxy and their applications to electron devices》(분자선 에피택시에 의한 이종접합의 성장과 전자 디바이스에의 응용)
    • 홋카이도 대학 공학부 강사로 부임
  • 1983년 : 홋카이도 대학 공학부 조교수
  • 1988년 : IBM 왓슨 연구소 객원연구원으로 근무
  • 1994년 : 도호쿠 대학 공학부 교수
  • 1995년 : 도호쿠 대학 전기통신연구소 교수
  • 2018년 : 도호쿠 대학 총장(현재)[2]

수상 경력

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  • 1998년 : 일본 IBM 과학상(《강자성 반도체와 이종접합에 관한 연구》)
  • 2003년 : 국제순수응용물리학연합 자기학상
  • 2005년 : 애질런트 유럽 물리학상(《자기와 전기의 성질을 겸비하는 자성반도체 재료의 개발과 이론 연구》)
  • 2005년 : 일본 학사원상(《반도체 나노 구조에 의한 전자의 양자 제어와 강자성의 연구》)
  • 2005년 : 도호쿠 대학 총장 특별상(일본 학사원상과 같음)
  • 2007년 : 응용물리학회 펠로 시상(《반도체를 중심으로 한 스핀트로닉스에 관한 연구》)
  • 2014년 : 톰슨 로이터 선정 ‘노벨상 수상 예측 인물’[3]
  • 2016년 : 에사키 레오나상
  • 2016년 : C&C상

저서

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각주

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  1. ↑ 도호쿠 대학 사이언스 카페 Archived 2016년 3월 4일 - 웨이백 머신 - 도호쿠 대학
  2. ↑ 가 나 역대 총장 - 도호쿠 대학
  3. ↑ “大野英男教授が「トムソン・ロイター引用栄誉賞（ノーベル賞 有力候補者）」を受賞”. 도호쿠 대학. 2014년 9월 26일에 확인함. 

외부 링크

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