Arsenofosforek galu, fosforoarsenek galu, GaAsP – materiał półprzewodnikowy, stop arsenku galu i fosforku galu.
Stosowany jest do produkcji diod elektroluminescencyjnych świecących na żółto, pomarańczowo lub czerwono. Może być domieszkowany azotem (GaAsP:N).
Szerokość przerwy energetycznej w temperaturze 0 K dla nienaprężonej warstwy o składzie GaAs(1−x)Px jest równa (w eV)[1]:
Wprowadzenie naprężeń ściskających powoduje zmniejszenie szerokości przerwy energetycznej[2].
- ↑ I.I. Vurgaftman I.I., J.R.J.R. Meyer J.R.J.R., L.R.L.R. Ram-Mohan L.R.L.R., Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys, „Journal of Applied Physics”, 89 (11), 2001, s. 5815–5875, DOI: 10.1063/1.1368156 .
- ↑ M.-E.M.E. Pistol M.-E.M.E., M.R.M.R. Leys M.R.M.R., L.L. Samuelson L.L., Properties of thin strained Ga(As,P) layers, „Physical Review B”, 37 (9), 1988, s. 4664–4670, DOI: 10.1103/PhysRevB.37.4664 .