Масуока, Фудзио

Фудзио Масуока
яп. 舛岡富士雄
Дата рождения 8 мая 1943(1943-05-08) (81 год)
Место рождения
Страна
Род деятельности преподаватель университета
Научная сфера электротехника
Место работы
Альма-матер
Награды и премии
Премия Морриса Либманна (1997) заслуженный деятель культуры[вд] (2013) премия Хонда (2018)

Фудзио Масуока (яп. 舛岡 富士雄 Масуока Фудзио, род. 8 мая 1943 года) — японский инженер, работавший в Toshiba и университете Тохоку. В настоящее время — технический директор основанной им фирмы Unisantis Electronics[1]. Является изобретателем флеш-памяти, в том числе разработчиком NOR и NAND флеш-памяти (1980-е годы)[2]. Кроме того, в 1988 году он был руководителем команды разработчиков первого МОП-транзистора с универсальным затвором (GAA) (GAAFET)[3].

Биография

[править | править код]

В 1966 году Масуока окончил университет Тохоку в Сендае, Япония. В 1971 году там же получил докторскую степень[4] и поступил на работу в Toshiba. Там им был разработан МОП-транзистор, легший в основу микросхем со стиранием памяти (стирание происходит путем засвечивания ультрафиолетом) — предшественников EEPROM (электрически стираемого перепрограммируемого ПЗУ) и флеш-памяти[5][6]. В 1976 году Масуока разработал DRAM — динамическую память с произвольным доступом (DRAM) с двойной структурой поликристаллического кремния. В 1977 году он перешел в бизнес-подразделение Toshiba Semiconductor, где разработал мегабайтный DRAM[5].

Масуоку больше всего волновала идея энергонезависимой памяти, то есть памяти, которая бы сохраняла данные даже при отключении питания. Стирание данных тогдашней EEPROM занимало очень много времени. Он разработал технологию «плавающего затвора», позволяющую делать этогораздо быстрее. Совместный патент был подан в 1980 году вместе с Хисакадзу Иидзукой[5][7]. Его коллега Сёдзи Ариидзуми предложил слово «флеш» («вспышка»), потому что процесс напоминал ему вспышку фотоаппарата[8]. Результаты были опубликованы в 1984 году и легли в основу для технологии флэш-памяти уже гораздо большей емкости (изначальный вариант был 8192 байта).[9][10]

В 1984 году Масуока и его коллеги представили изобретение флеш-памяти NOR[11]. В 1987 году на Международной конференции по электронным устройствам института инженеров электротехники и электроники (IEEE), состоявшейся в Сан-Франциско они сделали доклад о разработке флеш-памяти NAND.[12] Toshiba выпустила на рынок флэш-память NAND в 1987 году.[13][14]. Однако, миллиарды долларов на продажах соответствующих технологий были заработаны компанией Intel[15] и пресс-служба Toshiba сообщила Forbes, что именно Intel изобрела флэш-память[15]. Что касается, Масуоки,- он получил премию в несколько сотен долларов за изобретение от Toshiba, а позже была сделана попытка понизить его в должности[15].

В 1988 году исследовательская группа Toshiba под руководством Масуока продемонстрировала первый МОП-транзистор с универсальным затвором (GAA) (GAAFET)[3]

В 1994 году Масуока стал профессоом университета Тохоку[15]

В 2004 году Масуока, стремясь развить изобретение 1988 года, стал главным техническим директором образованной им компании Unisantis Electronics.[1][4]

В 2006 году Масуока урегулировал судебный процесс с Toshiba на 87 миллионов иен (около 758 000 долларов США)[16].

У Масуоки в общей сложности 270 уже зарегистрированных патентов и 71 — в процессе рассмотрения[5].

Награды и премии

[править | править код]

Библиография

[править | править код]
  • K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. «High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs.» Electron Devices Meeting, 1988. IEDM’88. Technical Digest., International. IEEE, 1988.
  • A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. «A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs.» Electron Devices Meeting, 1989. IEDM’89. Technical Digest., International. IEEE, 1989.
  • K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. «Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-high-density LSI’s.» IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 573—578.
  • K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. «Multi-pillar surrounding gate transistor (M-SGT) for compact and high-speed circuits.» IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 579—583.
  • F Horiguchi, K Ohuchi, F Masuoka. «A novel circuit technology with surrounding gate transistors (SGT’s) for ultra high density DRAM’s.» IEEE Journal of Solid-State Circuits 30.9 (1995): 960—971.

Примечания

[править | править код]
  1. ↑ 1 2 Company Profile. Unisantis Electronics. Дата обращения: 17 июля 2019. Архивировано из оригинала 22 февраля 2007 года.
  2. ↑ Jeff Katz. Oral History of Fujio Masuoka. Computer History Museum (21 сентября 2012). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 23 августа 2016 года.
  3. ↑ 1 2 Masuoka, Fujio; Takato, Hiroshi; Sunouchi, Kazumasa; Okabe, N.; Nitayama, Akihiro; Hieda, K.; Horiguchi, Fumio (December 1988). "High performance CMOS surrounding-gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs". Technical Digest., International Electron Devices Meeting: 222—225. doi:10.1109/IEDM.1988.32796. S2CID 114148274.
  4. ↑ 1 2 Company profile. Unisantis-Electronics (Japan) Ltd.. Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано из оригинала 22 февраля 2007 года.
  5. ↑ 1 2 3 4 Fujio Masuoka. IEEE Explore[англ.]. IEEE. Дата обращения: 17 июля 2019. Архивировано 17 июля 2019 года.
  6. ↑ Masuoka, Fujio (1972-08-31). "Avalanche injection type mos memory". Архивировано 21 декабря 2022. Дата обращения: 21 декабря 2022. {{cite journal}}: Cite journal требует |journal= (справка)
  7. ↑ Semiconductor memory device and method for manufacturing the same. US Patent 4531203 A (13 ноября 1981). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 21 марта 2017 года.
  8. ↑ Detlev Richter. Flash Memories: Economic Principles of Performance, Cost and Reliability. — Springer Science and Business Media, 2013. — Vol. 40. — P. 5–6. — ISBN 978-94-007-6081-3. — doi:10.1007/978-94-007-6082-0.
  9. ↑ F. Masuoka; M. Asano; H. Iwahashi; T. Komuro; S. Tanaka (1984-12-09). "A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology". International Electronic Devices Meeting. IEEE: 464—467. doi:10.1109/IEDM.1984.190752. S2CID 25967023.
  10. ↑ A 256K Flash EEPROM using Triple Polysilicon Technology. IEEE historic photo repository. Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 21 марта 2017 года.
  11. ↑ Toshiba: Inventor of Flash Memory. Toshiba. Дата обращения: 20 июня 2019. Архивировано 20 июня 2019 года.
  12. ↑ Masuoka, F.; Momodomi, M.; Iwata, Y.; Shirota, R. (1987). "New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell". Electron Devices Meeting, 1987 International. IEDM 1987. IEEE. doi:10.1109/IEDM.1987.191485.
  13. ↑ 1987: Toshiba Launches NAND Flash. eWeek (11 апреля 2012). Дата обращения: 20 июня 2019.
  14. ↑ 1971: Reusable semiconductor ROM introduced. Computer History Museum. Дата обращения: 19 июня 2019. Архивировано 10 августа 2023 года.
  15. ↑ 1 2 3 4 Fulford, Benjamin Unsung hero. Forbes (24 июня 2002). Дата обращения: 20 марта 2017. Архивировано 3 марта 2008 года.
  16. ↑ Tony Smith (2006-07-31). "Toshiba settles spat with Flash memory inventor: Boffin gets ¥87m but wanted ¥1bn". The Register. Архивировано 21 марта 2017. Дата обращения: 20 марта 2017.
  17. ↑ IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award Recipients. IEEE. Дата обращения: 27 февраля 2011. Архивировано из оригинала 3 марта 2016 года.