Тетродный транзистор — любой транзистор, имеющий четыре активных вывода.
Существовало два типа тетродных транзисторов, разработанных в начале 1950-х годов в процессе усовершенствования точечно-контактных транзисторов и более поздних транзисторов с выращенным переходом и транзисторов со сплавными контактами. Оба имели гораздо более высокие частотные характеристики, чем более ранние транзисторы, за счет снижения коллекторной емкости.
- Точечный транзистор с двумя эмиттерами. Он устарел в середине 1950-х годов.
- Транзистор с модифицированными выращенными p-n переходами или транзистор со сплавными p-n переходами, имеющий два соединения на противоположных концах базы[1][2]. Достигаются высокие частотные характеристики за счет уменьшения коллекторной емкости. Он устарел в начале 1960-х годов с появлением диффузионных транзисторов.
- Двухэмиттерный транзистор, используемый в двух-входных транзисторно-транзисторных логических элементах.
- Двухколлекторный транзистор, используемый в двух-выходных интегрированных инжекционных логических элементах.
- Планарный кремниевый биполярный транзистор с диффузионым переходом[3], используется в некоторых интегральных схемах. Этот транзистор, кроме трех электродов, эмиттерного, базового и коллекторного, имеет четвертый электрод или сетку из проводящего материала, размещенную вблизи перехода эмиттер-база, от которого он изолирован слоем кремнезема.
- Полевые тетроды.
- ↑ А. Кобленц, Г. Оуэнс Транзисторы. Теория и применения. Архивная копия от 1 февраля 2020 на Wayback Machine — М., ИЛ, 1956. — с. 128-131
- ↑ R. L. Wallace, L. G. Schimpf, E. Dickten
A junction transistor tetrode for high-frequency use Архивная копия от 1 февраля 2020 на Wayback Machine // Proc. IRE, vol. 40, pp.
1395-1400, November 1952
- ↑ U.S. Patent 4 143 421 - Tetrode transistor memory logic cell, March 6, 1979. Filed September 6, 1977.