காலியம்(I) ஆக்சைடு

காலியம்(I) ஆக்சைடு
Gallium(I) oxide

பெயர்கள்
வேறு பெயர்கள் இரு காலியம் ஓராக்சைடு காலியம் கீழாக்சைடு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	12024-20-3^Y
ChemSpider	34990294^Y
InChI InChI=1S/2Ga.O Key: KXACIVYKDCQNQA-UHFFFAOYSA-N
யேமல் -3D படிமங்கள்	Image
பப்கெம்	16702109
SMILES O([Ga])[Ga]
UNII	EJS6TG9SIN^Y
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	Ga2O
வாய்ப்பாட்டு எடை	155.445 கி/மோல்[1]
தோற்றம்	பழுப்பு நிறத் தூள்[1]
அடர்த்தி	4.77 கி/செ.மீ^3[1]
உருகுநிலை	>800 °செ [1] (சிதையும்)
காந்த ஏற்புத்திறன் (χ)	-34·10^−6 செ.மீ^3/மோல்[2]
வெப்பவேதியியல்
Std enthalpy of formation ΔfH^o298	−356.2 கி.யூல்/மோல்[3]
தீங்குகள்
ஈயூ வகைப்பாடு	not listed
தொடர்புடைய சேர்மங்கள்
ஏனைய நேர் மின்அயனிகள்	போரான் ஓராக்சைடு அலுமினியம்(I) ஆக்சைடு இண்டியம்(I) ஓராக்சைடு தாலியம்(I) ஆக்சைடு
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். வார்ப்புரு மேற்கோள்கள்

காலியம்(I) ஆக்சைடு (Gallium(I) oxide) Ga₂O என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிமச் சேர்மமாகும். இரு காலியம் ஓராக்சைடு, டைகாலியம் மோனாக்சைடு, காலியம் கீழாக்சைடு என்ற பெயர்களாலும் இச்சேர்மம் அழைக்கப்படுகிறது.

தயாரிப்பு

வெற்றிடத்தில் சூடாக்கப்பட்ட காலியத்தை காலியம்(III) ஆக்சைடுடன் சேர்த்து வினைபுரியச் செய்வதால் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது.^[4]

${\displaystyle \mathrm {Ga_{2}O_{3}+4\ Ga\longrightarrow 3\ Ga_{2}O} }$

காலியத்தை கார்பனீராக்சைடுடன் சேர்த்து வெற்றிடத்தில் 850 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலைக்கு சூடுபடுத்தினாலும் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது.^[5]

${\displaystyle \mathrm {2\ Ga+CO_{2}\longrightarrow Ga_{2}O+CO} }$

காலியம் ஆர்சனைடு சீவல்கள் தயாரிக்கையில் ஓர் உடன் விளைபொருளாகவும் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது. :^[6][7]

${\displaystyle \mathrm {4\ Ga+SiO_{2}\longrightarrow 2\ Ga_{2}O+Si} }$

பண்புகள்

காலியம்(I) ஆக்சைடு பழுப்பும் கருப்பும் கலந்த நிறத்தினாலான எதிர்காந்த பண்பு கொண்ட ஒரு திடப்பொருளாகும். வறண்ட காற்றில் மேலும் ஆக்சிசனேற்றம் நிகழாமல் இச்சேர்மம் தடுக்கும். 500 ° செல்சியசு வெப்பநிலைக்கும் அதிகமான வெப்பநிலைக்கு சூடுபடுத்தப்பட்டால் காலியம்(I) ஆக்சைடு சிதைவடையத் தொடங்குகிறது. இச்சிதைவு விகிதம் வெற்றிடம், மந்த வாயு, காற்று போன்ற வளிமண்டலச் சூழல்களைப் பொறுத்து அமைகிறது.^[4]

மேற்கோள்கள்

1. Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
2. Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.133. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
3. Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 5.12. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
4. Brauer, Georg (1975). Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. Vol. 3. p. 857. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 3-432-02328-6.
5. Emeléus, H. J. and Sharpe, A. G. (1963). Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Vol. 5. Academic Press. p. 94. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 008057854-3.
6. Siffert, Paul and Krimmel, Eberhard (2004). Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer. p. 439. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 354040546-1.
7. Chou, L. -J (2007). Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD). The Electrochemical Society. p. 47. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 978-156677574-8.