காலியம்(I) ஆக்சைடு

காலியம்(I) ஆக்சைடு
Gallium(I) oxide
பெயர்கள்
வேறு பெயர்கள்
இரு காலியம் ஓராக்சைடு
காலியம் கீழாக்சைடு
இனங்காட்டிகள்
12024-20-3 Y
ChemSpider 34990294 Y
InChI
  • InChI=1S/2Ga.O
    Key: KXACIVYKDCQNQA-UHFFFAOYSA-N
யேமல் -3D படிமங்கள் Image
பப்கெம் 16702109
  • O([Ga])[Ga]
UNII EJS6TG9SIN Y
பண்புகள்
Ga2O
வாய்ப்பாட்டு எடை 155.445 கி/மோல்[1]
தோற்றம் பழுப்பு நிறத் தூள்[1]
அடர்த்தி 4.77 கி/செ.மீ3[1]
உருகுநிலை >800 °செ [1] (சிதையும்)
-34·10−6 செ.மீ3/மோல்[2]
வெப்பவேதியியல்
Std enthalpy of
formation
ΔfHo298
−356.2 கி.யூல்/மோல்[3]
தீங்குகள்
ஈயூ வகைப்பாடு not listed
தொடர்புடைய சேர்மங்கள்
ஏனைய நேர் மின்அயனிகள் போரான் ஓராக்சைடு
அலுமினியம்(I) ஆக்சைடு
இண்டியம்(I) ஓராக்சைடு
தாலியம்(I) ஆக்சைடு
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்
பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும்.

காலியம்(I) ஆக்சைடு (Gallium(I) oxide) Ga2O என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிமச் சேர்மமாகும். இரு காலியம் ஓராக்சைடு, டைகாலியம் மோனாக்சைடு, காலியம் கீழாக்சைடு என்ற பெயர்களாலும் இச்சேர்மம் அழைக்கப்படுகிறது.

தயாரிப்பு

[தொகு]

வெற்றிடத்தில் சூடாக்கப்பட்ட காலியத்தை காலியம்(III) ஆக்சைடுடன் சேர்த்து வினைபுரியச் செய்வதால் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது.[4]

காலியத்தை கார்பனீராக்சைடுடன் சேர்த்து வெற்றிடத்தில் 850 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலைக்கு சூடுபடுத்தினாலும் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது.[5]

காலியம் ஆர்சனைடு சீவல்கள் தயாரிக்கையில் ஓர் உடன் விளைபொருளாகவும் காலியம்(I) ஆக்சைடு உருவாகிறது. :[6][7]

பண்புகள்

[தொகு]

காலியம்(I) ஆக்சைடு பழுப்பும் கருப்பும் கலந்த நிறத்தினாலான எதிர்காந்த பண்பு கொண்ட ஒரு திடப்பொருளாகும். வறண்ட காற்றில் மேலும் ஆக்சிசனேற்றம் நிகழாமல் இச்சேர்மம் தடுக்கும். 500 ° செல்சியசு வெப்பநிலைக்கும் அதிகமான வெப்பநிலைக்கு சூடுபடுத்தப்பட்டால் காலியம்(I) ஆக்சைடு சிதைவடையத் தொடங்குகிறது. இச்சிதைவு விகிதம் வெற்றிடம், மந்த வாயு, காற்று போன்ற வளிமண்டலச் சூழல்களைப் பொறுத்து அமைகிறது.[4]

மேற்கோள்கள்

[தொகு]
  1. 1.0 1.1 1.2 1.3 Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
  2. Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.133. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
  3. Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 5.12. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
  4. 4.0 4.1 Brauer, Georg (1975). Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. Vol. 3. p. 857. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 3-432-02328-6.
  5. Emeléus, H. J. and Sharpe, A. G. (1963). Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Vol. 5. Academic Press. p. 94. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 008057854-3.{{cite book}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link)
  6. Siffert, Paul and Krimmel, Eberhard (2004). Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer. p. 439. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 354040546-1.{{cite book}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link)
  7. Chou, L. -J (2007). Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD). The Electrochemical Society. p. 47. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 978-156677574-8.