John B. Goodenough Ödülü, malzeme kimyası alanına katkıları ödüllendirmek amacıyla Kraliyet Kimya Derneği (Royal Society of Chemistry) tarafından iki yılda bir düzenlenen bir kimya ödülüdür.[1] Malzeme Kimyası Bölümü Ödül Komitesi tarafından seçilen ödül sahibi, bir parasal ödül, bir madalya ve bir sertifika alır, ayrıca bir Birleşik Krallık konferans turu gerçekleştirir.
Başlangıçta Malzeme Kimya Forumu Yaşam Boyu Ödülü (Materials Chemistry Forum Lifetime Award) olarak anılan ödül, 2008 yılında verilmeye başlandı. İlk rastgele erişimli belleğin (RAM) geliştirilmesine ve Lityum iyon şarj edilebilir piller alanında önemli katkılarda bulunan malzeme bilimcisi John Bannister Goodenough'un adını almıştır.[2]