Gali(III) arsenide

Gali(III) arsenide
Gali(III) arsenide
	Các mẫu arsenide gali
Nhận dạng
Số CAS	1303-00-0
PubChem	14770
Số EINECS	215-114-8
MeSH	gallium+arsenide
Số RTECS	LW8800000
Ảnh Jmol-3D	ảnh
SMILES	đầy đủ [Ga-].[As+] ;
Thuộc tính
Công thức phân tử	GaAs
Khối lượng mol	144.645 g/mol
Bề ngoài	Very dark red, vitreous crystals
Mùi	garlic-like when moistened
Khối lượng riêng	5.3176 g/cm³
Điểm nóng chảy	1.238 °C (1.511 K; 2.260 °F)
Điểm sôi
Độ hòa tan trong nước	Không hòa tan
Độ hòa tan	hòa tan trong HCL ; không hòa tan ethanol, methanol, acetone
BandGap	1.424 eV (at 300 K)
ElectronMobility	8500 cm²/(V·s) (at 300 K)
Độ dẫn nhiệt	0.55 W/(cm·K) (at 300 K)
Chiết suất (nD)	3.8
Cấu trúc
Cấu trúc tinh thể	Zinc blende
Nhóm không gian	T2d-F-43m
Hằng số mạng	a = 565.35 pm
Tọa độ	Tetrahedral
Hình dạng phân tử	Linear
Các nguy hiểm
MSDS	External MSDS
Phân loại của EU	T N
NFPA 704	1 3 2 W
Chỉ dẫn R	R23/25, R50/53
Chỉ dẫn S	(S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61
Ký hiệu GHS
Báo hiệu GHS	DANGER
Chỉ dẫn nguy hiểm GHS	H301, H331, H410
Chỉ dẫn phòng ngừa GHS	P261, P273, P301+P310, P311, P501
	Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). kiểm chứng (cái gì ?) Tham khảo hộp thông tin

Gali(III) arsenide hay gali arsenua (GaAs) là hợp chất của gali và asen. Nó là chất bán dẫn với khe III-V (bandgap) trực tiếp với một cấu trúc tinh thể ánh nước kẽm. Arsenua galli được sử dụng trong sản xuất các linh kiện mạch tích hợp tần số vi sóng, mạch tích hợp đơn khối, điốt phát sáng hồng ngoại, điốt laser, các pin năng lượng mặt trời và các cửa sổ quang.

Tính chất

Trong hợp chất, gali có trạng thái oxy hóa +3. Đơn tinh thể gali arsenide có thể được điều chế bằng ba quy trình công nghiệp:

Quá trình đóng băng gradient dọc (VGF).
Sự phát triển của tinh thể bằng cách sử dụng một lò nung vùng nằm ngang trong kỹ thuật Bridgman-Stockbarger, trong đó gali và hơi asen phản ứng, và các phân tử tự do lắng đọng trên một tinh thể mầm ở cuối lò làm mát.
Chất tăng trưởng Czochralski (LEC) được đóng gói bằng chất lỏng được sử dụng để tạo ra các tinh thể đơn có độ tinh khiết cao có thể thể hiện các đặc tính bán cách điện (xem bên dưới). Hầu hết các tấm GaAs được sản xuất bằng quy trình này.

Các phương pháp thay thế để sản xuất phim GaAs bao gồm:

Phản ứng VPE của gali kim loại dạng khí và arsenic trichloride : 2Ga + 2AsCl₃ → 2GaAs + 3Cl₂
Phản ứng MOCVD của trimetylgali và arsine : Ga(CH₃)₃ + AsH₃ → GaAs + 3CH₄
Epitaxy chùm phân tử (MBE) của gali và arsen : 4Ga + As₄→ 4GaAs hoặc 2Ga + As2→ 2GaAs

Quá trình oxy hóa GaAs xảy ra trong không khí, làm giảm hiệu suất của chất bán dẫn. Bề mặt có thể được thụ động hóa bằng cách lắng đọng một lớp gali(II) sulfide khối bằng cách sử dụng hợp chất tert-butyl gali sulfide như (^tBuGaS)