Hermann Gummel

Hermann Gummel
Sinh	Hermann Karl Gummel (1923-07-05)5 tháng 7 năm 1923 Hanover, Nhà nước Phổ tự do, Cộng hòa Weimar
Mất	5 tháng 9 năm 2022(2022-09-05) (99 tuổi)
Trường lớp	Đại học Marburg Đại học Syracuse
Nổi tiếng vì	Mô hình Gummel – Poon
Giải thưởng	Giải thưởng IEEE David Sarnoff (1983) Học viện Kỹ thuật Quốc gia (1985) Giải thưởng Phil Kaufman (1994)
Sự nghiệp khoa học
Ngành	Semiconductor devices
Nơi công tác	Bell Laboratories
Người hướng dẫn luận án tiến sĩ	Melvin Lax

Hermann K. Gummel (5 tháng 7 năm 1923 - 5 tháng 9 năm 2022) là một nhà vật lý người Đức và là nhà tiên phong trong công nghiệp bán dẫn.^[1]

Ông nhận bằng Vật lý (1952) từ Đại học Philipps ở Marburg, Đức. Ông đã nhận bằng M.S. (1952) và Ph.D. (1957) bằng vật lý bán dẫn lý thuyết của Đại học Syracuse^[2]. Ông gia nhập Phòng thí nghiệm Bell vào năm 1956; cố vấn tiến sĩ của ông, Melvin Lax, đã chuyển từ Đại học Syracuse đến Bell vào năm trước^[3]. Tại Bell, Gummel đã có những đóng góp quan trọng trong việc thiết kế và mô phỏng các thiết bị bán dẫn được sử dụng trong ngành điện tử hiện đại.^[4]

Trong số những đóng góp quan trọng nhất của ông là Mô hình Gummel – Poon giúp mô phỏng chính xác bóng bán dẫn lưỡng cực và là trung tâm của sự phát triển của chương trình SPICE; Phương pháp của Gummel, được sử dụng để giải các phương trình cho hoạt động chi tiết của các bóng bán dẫn lưỡng cực riêng lẻ,; và Âm mưu Gummel, được sử dụng để mô tả các bóng bán dẫn lưỡng cực. Gummel cũng tạo ra một trong những máy trạm cá nhân đầu tiên, dựa trên máy tính mini HP và Tektronix terminals và được sử dụng cho VLSI thiết kế và bố trí, và MOTIS, trình mô phỏng định thời MOS đầu tiên và là cơ sở của các chương trình "SPICE nhanh".

Năm 1983, Gummel nhận được Giải thưởng David Sarnoff "cho những đóng góp và dẫn đầu trong phân tích thiết bị và phát triển các công cụ thiết kế có sự hỗ trợ của máy tính cho các thiết bị và mạch bán dẫn"^[5]. Năm 1985, Gummel được bầu vào Học viện Kỹ thuật Quốc gia Hoa Kỳ vì "những đóng góp và dẫn đầu trong việc phân tích và thiết kế các thiết bị và mạch bán dẫn có sự hỗ trợ của máy tính"^[6]. Năm 1994, ông người đầu tiên nhận Giải thưởng Phil Kaufman.^[7]

Ông qua đời vào ngày 5 tháng 9 năm 2022, hưởng thọ 99 tuổi.^[8]

Xem thêm

Âm mưu Gummel

Thư mục

• Gummel, Hermann; Lax, Melvin (1957). “Thermal capture of electrons in silicon”. Annals of Physics. 2 (1): 28–56. Bibcode:1957AnPhy...2...28G. doi:10.1016/0003-4916(57)90034-9.
• Gummel, H. K.; Poon, H. C. (tháng 5 năm 1970). “An integral charge control model of bipolar transistors”. Bell Syst. Tech. J. 49 (5): 827–852. doi:10.1002/j.1538-7305.1970.tb01803.x.
• Gummel, H. K.; Chawla, Basant R.; Kozak, Paul (tháng 12 năm 1975). “MOTIS-An MOS Timing Simulator”. IEEE Transactions on Circuits and Systems. CAS-22 (12): 901–910.

Tham khảo

1. “Hermann Karl Gummel”. legacy.com. Truy cập 7 tháng Chín năm 2022.
2. “Contributors to this issue” (PDF). Bell System Technical Journal: 349. tháng 1 năm 1960.
3. Birman, Joseph L.; Cummins, Herman Z. (2005). “Melvin Lax”. Biographical Memoirs Vol. 87 (PDF). National Academy of Sciences. tr. 3–25.
4. Newton, A. Richard (6 tháng 11 năm 1994). “Presentation of the 1994 Phil Kaufman Award to Dr. Hermann K. Gummel”. Lưu trữ bản gốc 5 tháng Mười năm 2012.
5. “IEEE David Sarnoff Award Recipients” (PDF). IEEE. Truy cập 5 Tháng tám năm 2011.
6. “Dr. Hermann K. Gummel”. National Academy of Engineering. Truy cập 5 Tháng tám năm 2011.
7. “Hermann K. Gummel: 1994 Phil Kaufman Award Honoree”. Electronic Design Automation Companies (EDAC). 9 tháng 11 năm 1994. Bản gốc lưu trữ 26 tháng Bảy năm 2011.
8. “Hermann Karl Gummel”. Legacy. Truy cập 8 tháng Chín năm 2022.