Indi arsenide

Indi arsenide^[1]
Indi arsenide
Danh pháp IUPAC	Indi (III) arsenua
Tên khác	Indi monoarsenua
Nhận dạng
Số CAS	1303-11-3
PubChem	91500
Ảnh Jmol-3D	; ảnh 2
SMILES	đầy đủ [In+3].[As-3] [In]#[As] ;
InChI	đầy đủ 1/As.In/rAsIn/c1-2;
UNII	J1A23S0911
Thuộc tính
Công thức phân tử	InAs
Khối lượng mol	189.740 g/mol
Khối lượng riêng	5.67 g/cm³
Điểm nóng chảy	942 °C (1.215 K; 1.728 °F)
Điểm sôi
BandGap	0.354 eV (300 K)
ElectronMobility	40000 cm²/(V*s)
Độ dẫn nhiệt	0.27 W/(cm*K) (300 K)
Chiết suất (nD)	3.51
Cấu trúc
Cấu trúc tinh thể	Zinc Blende
Hằng số mạng	a = 6.0583 Å
Nhiệt hóa học
Enthalpy; hình thành ΔfHo298	-58.6 kJ•mol−1
Entropy mol tiêu chuẩn So298	75.7 J•mol−1•K−1
Nhiệt dung	47.8 J•mol−1•K−1
Các nguy hiểm
NFPA 704	0 4 0
Ký hiệu GHS
Báo hiệu GHS	Danger
Chỉ dẫn nguy hiểm GHS	H301, H331
Chỉ dẫn phòng ngừa GHS	P261, P301+P310, P304+P340, P311, P405, P501
Các hợp chất liên quan
Anion khác	Indi nitride; Indi phosphua; Indi antimonua
Cation khác	Gali arsenua
	Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). kiểm chứng (cái gì ?) Tham khảo hộp thông tin

Indi arsenua, indi monoarsenua, InAs là một chất bán dẫn bao gồm indi và arsen. InAs xuất hiện của hệ tinh thể lập phương màu xám với nhiệt độ nóng chảy 942 °C.^[3]

Indi arsenua được dùng để chế các cảm biến hồng ngoại cho phạm vi bước sóng 1–3.8 µm. Các cảm biến thường là các photodiod quang điện. Các đầu dò làm lạnh bằng nước lạnh thì có độ ồn thấp hơn, tuy nhiên cảm biến InAs cũng có thể được sử dụng trong các ứng dụng công suất cao hơn ở nhiệt độ phòng. Indi arsenua cũng được sử dụng để chế tạo Điốt laser.

Tham khảo

^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản thứ 87), Boca Raton, FL: CRC Press, tr. 4–61, ISBN 0-8493-0594-2
^ ^a ^b ^c ^d “Indium Arsenide”. American Elements. Truy cập ngày 12 tháng 10 năm 2018.
^ “Thermal properties of Indium Arsenide (InAs)”. Truy cập ngày 11 tháng 6 năm 2020.