Fujio Masuoka

Fujio Masuoka (jap. 舛岡, 富士雄, Masuoka Fujio, s. 8. toukokuuta 1943, Gunma, Japani) on japanilainen insinööri, joka on työskennellyt Toshiballa ja on ollut professorina Tōhokun yliopistossa vuodesta 1994 lähtien.[1] Hänellä on 170 rekisteröityä patenttia useissa maissa.[1] Vuonna 2005 hän liittyi Unisantis Electronics -yhtiöön teknologiajohtajana.[2]

Masuoka on kehittänyt SAMOS-tyyppisen lukumuistin vuonna 1972, joka on lähtökohta nykyisille EPROM- ja Flash-muisteille.[1] Vuonna 1980 hän haki Flash-muistin patenttia ensi kertaa ja vuonna 1984 esitteli Flash-muistin julkisesti.[1]

Masuoka on keksinyt vuonna 1988 ”surrounding gate transistor” (SGT) konseptin.[3][4]

Masuoka on voittanut vuoden 2018 Honda-palkinnon tunnustuksena työstään.[4]

Lähteet

[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]
  1. ↑ a b c d F. Masuoka ieeexplore.ieee.org. Viitattu 9.4.2021. (englanniksi)
  2. ↑ Company Profile unisantis-el.jp. Arkistoitu Viitattu 9.4.2021. (englanniksi)
  3. ↑ Gate-all-around key to 5nm SRAM cell electronicsweekly.com. 25.5.2018. Viitattu 9.4.2021. (englanniksi)
  4. ↑ a b Flash memory inventor wins 2018 Honda Prize (PDF) stofficetokyo.ch. Viitattu 9.4.2021. (englanniksi)

Aiheesta muualla

[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]