Oxyde de gallium(I) | |
Identification | |
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Nom systématique | oxyde de gallium(I) |
Synonymes |
suboxyde de gallium |
No CAS | |
PubChem | 16702109 |
SMILES | |
InChI | |
Apparence | solide brun-noir[1] |
Propriétés chimiques | |
Formule | Ga2O |
Masse molaire[2] | 155,445 ± 0,002 g/mol Ga 89,71 %, O 10,29 %, |
Propriétés physiques | |
T° fusion | > 660 °C[1] (décomposition) |
Solubilité | réagit avec l'eau[3] |
Masse volumique | 4,77 g/cm3[4] |
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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L’oxyde de gallium(I) est un composé chimique de formule Ga2O. Il s'agit d'un solide brun-noir diamagnétique stable au contact de l'air sec. Il se sublime à 660 °C dans un flux de gaz inerte sous une pression de 1 bar, et à partir de 500 °C dans un vide poussé, où il se décompose en gallium et oxyde de gallium(III) Ga2O3 à partir de 700 °C[1].
L'oxyde de gallium(I) peut être obtenu en faisant réagir de l'oxyde de gallium(III) avec du gallium chauffé sous vide[1] :
Il peut également être obtenu en faisant réagir du gallium avec du dioxyde de carbone CO2 à basse pression et à 850 °C[5] :
Il se forme également lors de la fabrication de wafers d'arséniure de gallium par réaction du gallium avec le dioxyde de silicium des parois en verre de quartz[6],[7] :