Triphosphor pentanitride

Triphosphor pentanitride
Mô hình phân tử không khung
Danh pháp IUPAC

Triphosphor pentanitride

Tên khác
Nhận dạng
Số CAS

12136-91-3

Số EINECS

235-233-9

Thuộc tính
Công thức phân tử

P3N5

Khối lượng mol

162.955 g/mol

Bề ngoài

Chất rắn màu trắng

Khối lượng riêng

α-P3N5 = 2.77 g/cm³

Điểm nóng chảy

Nhiệt phân ở nhiệt độ trên 850 °C (1.120 K; 1.560 °F)

Điểm sôi
Độ hòa tan trong nước

Không hòa tan

Các nguy hiểm

Triphosphor pentanitride (công thức hóa học: P3N5) là một hợp chất vô cơ. Chỉ chứa phosphornitơ, hợp chất này được phân loại là một nitride nhị phân. Tồn tại ở thể rắn, thường có màu trắng.

Sự tổng hợp

[sửa | sửa mã nguồn]

Phosphor nitride có thể được tạo ra từ phản ứng giữa phosphor(V) và các hợp chất nitơ (như amonia và natri azua):

3 PCl5 + 5 NH3 → P3N5 + 15 HCl
3 PCl5 + 15 NaN3 → P3N5 + 15 NaCl + 5 N2

Những phương pháp tương tự cũng từng được dùng để điều chế bo nitride (BN) và silicon nitride (Si3N4);tuy nhiên những sản phẩm tạo ra thường không tinh khiết và vô định hình.[1][2]

Các mẫu tinh thể được sản xuất từ phản ứng giữa amoni chloride (NH4Cl) và hexachlorocyclotriphosphazene ((NPCl2)3)[3], hoặc phosphor pentachloride (PCl5).

(NPCl2)3 + 2 NH4Cl → P3N5 + 8 HCl
3 PCl5 + 5 NH4Cl → P3N5 + 20 HCl

P3N5 cũng được điều chế trong môi trường nhiệt độ phòng, từ phản ứng giữa phosphor trichloride và natri amit.[4]

3 PCl3 + 5 NaNH2 → P3N5 + 5 NaCl + 4 HCl + 3 H2

Phản ứng

[sửa | sửa mã nguồn]

P3N5 ít ổn định về nhiệt hơn cả bo nitride (BN) lẫn silicon nitride (Si3N4,) với sự nhiệt phân các nguyên tố xảy ra ở nhiệt độ trên 850 °C:

2 P3N5 → 6 PN + 2 N2
4 PN → P4 + 2 N2

Có khả năng kháng axit và base yếu, không tan trong nước ở nhiệt độ phòng, tuy nhiên nó thủy phân khi nung nóng tạo ra sản phẩm là các muối phosphat amoni như diamoni phosphat ((NH4)2HPO4) và amoni dihydro phosphat (NH4H2PO4).

Ứng dụng

[sửa | sửa mã nguồn]

Phosphor nitride hiện tại không có ứng dụng quy mô lớn nào mặc dù nó đã được phát hiện và sử dụng như vật liệu cho đèn sợi đốt; thay thế các hỗn hợp chứa phosphor đỏ thường được sử dụng trước đó vào cuối những năm 1960. 

Cũng có nhiều nghiên cứu dùng nó làm một vật liệu mới cho các thiết bị điện tử dựa vào chất bán dẫn; đặc biệt là làm chất cách điện cổng trong MOSFET.[5][6]

Một số bằng sáng chế đã được đệ trình cho việc sử dụng phosphor nitride trong các biện pháp cứu hỏa.[7][8]

Chú thích

[sửa | sửa mã nguồn]
  1. ^ Schnick, Wolfgang (ngày 1 tháng 6 năm 1993). "Solid-State Chemistry with Nonmetal Nitrides". Angewandte Chemie International Edition in English. Quyển 32 số 6. tr. 806–818. doi:10.1002/anie.199308061.
  2. ^ Meng, Zhaoyu; Peng, Yiya; Yang, Zhiping; Qian, Yitai (ngày 1 tháng 1 năm 2000). "Synthesis and Characterization of Amorphous Phosphorus Nitride". Chemistry Letters. Số 11. tr. 1252–1253. doi:10.1246/cl.2000.1252.
  3. ^ Schnick, Wolfgang; Lücke, Jan; Krumeich, Frank (1996). "Phosphorus Nitride P3N5: Synthesis, Spectroscopic, and Electron Microscopic Investigations". Chemistry of Materials. Quyển 8. tr. 281. doi:10.1021/cm950385y.
  4. ^ Chen, Luyang; Gu, Yunle; Shi, Liang; Yang, Zeheng; Ma, Jianhua; Qian, Yitai (2004). "Room temperature route to phosphorus nitride hollow spheres". Inorganic Chemistry Communications. Quyển 7 số 5. tr. 643. doi:10.1016/j.inoche.2004.03.009.
  5. ^ Hirota, Yukihiro (1982). "Chemical vapor deposition and characterization of phosphorus nitride (P3N5) gate insulators for InP metal-insulator-semiconductor devices". Journal of Applied Physics. Quyển 53 số 7. tr. 5037. doi:10.1063/1.331380.
  6. ^ Jeong, Yoon-Ha; Choi, Ki-Hwan; Jo, Seong-Kue; Kang, Bongkoo (1995). "Effects of Sulfide Passivation on the Performance of GaAs MISFETs with Photo-CVD Grown P3N5 Gate Insulators". Japanese Journal of Applied Physics. Quyển 34 số Part 1, No. 2B. tr. 1176–1180. doi:10.1143/JJAP.34.1176.
  7. ^ Phosphorus nitride agents to protect against fires and explosions, truy cập 2013 {{Chú thích}}: Kiểm tra giá trị ngày tháng trong: |access-date= (trợ giúp)Check date values in: |accessdate = (help)
  8. ^ Manufacture of flame-retardant regenerated cellulose fibres, ngày 20 tháng 12 năm 1977, Bản gốc lưu trữ ngày 4 tháng 12 năm 2017, truy cập 2013 {{Chú thích}}: Kiểm tra giá trị ngày tháng trong: |access-date= (trợ giúp)Check date values in: |accessdate = (help)
Chúng tôi bán
Bài viết liên quan
Con người rốt cuộc phải trải qua những gì mới có thể đạt đến sự giác ngộ?
Con người rốt cuộc phải trải qua những gì mới có thể đạt đến sự giác ngộ?
Mọi ý kiến và đánh giá của người khác đều chỉ là tạm thời, chỉ có trải nghiệm và thành tựu của chính mình mới đi theo suốt đời
Tiểu thuyết ma quái Ponyo: Liệu rằng tất cả mọi người đều đã biến mất
Tiểu thuyết ma quái Ponyo: Liệu rằng tất cả mọi người đều đã biến mất
Ponyo thực chất là một bộ phim kể về chuyến phiêu lưu đến thế giới bên kia sau khi ch.ết của hai mẹ con Sosuke và Ponyo chính là tác nhân gây nên trận Tsunami hủy diệt ấy.
Nhân vật Delta -  The Eminence In Shadow
Nhân vật Delta - The Eminence In Shadow
Delta (デルタ, Deruta?) (Δέλτα), trước đây gọi là Sarah (サラ, Sara?), là thành viên thứ tư của Shadow Garden
Một xã hội thích nhắn tin hơn là gọi điện và nỗi cô đơn của xã hội hiện đại
Một xã hội thích nhắn tin hơn là gọi điện và nỗi cô đơn của xã hội hiện đại
Bạn có thể nhắn tin với rất nhiều người trên mạng xã hội nhưng với những người xung quanh bạn như gia đình, bạn bè lại trên thực tế lại nhận được rất ít những sự thấu hiểu thực sự của bạn