Tantal(V) oxide

Tantal(V) oxide
Danh pháp IUPAC	Tantalum(V) oxide
Tên hệ thống	Ditantalum pentaoxide
Tên khác	Ditantal pentoxide
Nhận dạng
Số CAS	1314-61-0
PubChem	518712
Ảnh Jmol-3D	ảnh
SMILES	đầy đủ O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O
InChI	đầy đủ 1S/5O.2Ta
ChemSpider	452513
Thuộc tính
Công thức phân tử	Ta2O5
Khối lượng mol	441,891 g/mol
Bề ngoài	Bột trắng, không mùi
Khối lượng riêng	β-Ta2O5 = 8,18 g/cm³[1] α-Ta2O5 = 8,37 g/cm³
Điểm nóng chảy	1.872 °C (2.145 K; 3.402 °F)
Điểm sôi
Độ hòa tan trong nước	ít tan
Độ hòa tan	không hòa tan trong dung môi hữu cơ và hầu hết các acid khoáng, phản ứng với HF
BandGap	3,8–5,3 eV
MagSus	-32,0·10^-6 cm³/mol
Chiết suất (nD)	2,275
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). N kiểm chứng (cái gì ^YN ?) Tham khảo hộp thông tin

Tantal(V) oxide, còn được gọi dưới một cái tên khác là tantal pentoxide, là một hợp chất vô cơ có thành phần gồm hai nguyên tố tantal và oxy, có công thức hóa học Ta₂O₅. Về mặt bề ngoài, hợp chất này là một chất rắn màu trắng không tan trong tất cả các dung môi, trừ các base mạnh và axit fluorhydric. Ta₂O₅ là một vật liệu trơ với chỉ số khúc xạ cao và hấp thụ thấp (không màu), làm cho nó có ứng dụng rộng rãi trong việc chế tạo các lớp phủ.^[2] Hợp chất này cũng được sử dụng rộng rãi trong sản xuất tụ điện, do hằng số điện trở cao của nó.

Sử dụng

Trong điện tử

Tantal(V) oxide đã được sử dụng trong nhiều linh kiện điện tử, đặc biệt là trong các tụ điện tantal. Chúng được sử dụng trong điện tử ô tô, điện thoại di động và máy nhắn tin, mạch điện tử; các bộ phận màng mỏng; và các công cụ tốc độ cao.^[3][4] Ngoài ra, tantan(V) Oxide còn có những ứng dụng khác, ví dụ như trong các bộ cảm biến chuyển đổi.^[5]

Sử dụng khác

Do chỉ số khúc xạ cao, Ta₂O₅ được sử dụng trong chế tạo thấu kính thủy tinh.^[2][6]

Tham khảo

1. Reisman, Arnold; Holtzberg, Frederic; Berkenblit, Melvin; Berry, Margaret (ngày 20 tháng 9 năm 1956). “Reactions of the Group VB Pentoxides with Alkali Oxides and Carbonates. III. Thermal and X-Ray Phase Diagrams of the System K₂O or K₂CO₃ with Ta₂O₅”. Journal of the American Chemical Society. 78 (18): 4514–4520. doi:10.1021/ja01599a003.
2. ^ Fairbrother, Frederick (1967). The Chemistry of Niobium and Tantalum. New York: Elsevier Publishing Company. tr. 1–28. ISBN 978-0-444-40205-9.
3. Ezhilvalavan, S.; Tseng, T. Y. (1999). “Preparation and properties of tantalum pentoxide (Ta₂O₅) thin films for ultra large scale integrated circuits (ULSIs) application - a review”. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 10 (1): 9–31. doi:10.1023/A:1008970922635.
4. Chaneliere, C; Autran, J L; Devine, R A B; Balland, B (1998). “Tantalum pentoxide (Ta₂O₅) thin films for advanced dielectric applications”. Materials Science and Engineering: R. 22 (6): 269–322. doi:10.1016/S0927-796X(97)00023-5.
5. Lee, M-.J; và đồng nghiệp (2011). “A fast, high-endurance and scalable non-volatile memory device made from asymmetric Ta₂O_5−x/TaO_2−x bilayer structures”. Nature Materials. 10: 625. Bibcode:2011NatMa..10..625L. doi:10.1038/NMAT3070.
6. Musikant, Solomon (1985). “Optical Glas Composition”. Optical Materials: An Introduction to Selection and Application. CRC Press. tr. 28. ISBN 978-0-8247-7309-0.